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NTLGD3502N
TYPICAL MOSFET I N-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
350
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
Q T
12
10
300
V DS
250
200
C ISS
4
Q GS
Q GD
V GS
8
6
150
C OSS
2
4
100
50
0
C RSS
0
I D = 4.3 A
T J = 25 ° C
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 10 V
10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
I D = 4.3 A
V GS = 4.5 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
1
T J = 150 ° C
t d(on)
1
1
t f
10
100
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T J = -55 ° C
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
Single Pulse
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
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